SSM3J56MFV,L3F
- Artikelnummer:
- SSM3J56MFV,L3F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 56129 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SSM3J56MFV,L3F.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | VESM |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 150mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-723 |
| Andere Namen: | SSM3J56MFV,L3F(B SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFVL3F(TTR SSM3J56MFVL3F(TTR-ND SSM3J56MFVL3FT SSM3J56MFVL3FTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 800mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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