SI4590DY-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI4590DY-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 65044 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI4590DY-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 57 mOhm @ 2A, 10V |
| Puissance - Max: | 2.4W, 3.4W |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | SI4590DY-T1-GE3DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.5nC @ 10V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.4A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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