SI4590DY-T1-GE3
Part Number:
SI4590DY-T1-GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
65044 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SI4590DY-T1-GE3.pdf

Úvod

We can supply SI4590DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4590DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4590DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4590DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4590DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:57 mOhm @ 2A, 10V
Power - Max:2.4W, 3.4W
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ostatní jména:SI4590DY-T1-GE3DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:33 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:11.5nC @ 10V
Typ FET:N and P-Channel
FET Feature:-
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:3.4A, 2.8A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře