NJL4281DG
- Modèle de produit:
- NJL4281DG
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 350V 15A TO264
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 11720 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NJL4281DG.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 350V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 800mA, 8A |
| Transistor Type: | NPN + Diode (Isolated) |
| Package composant fournisseur: | TO-264 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 230W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-264-5 |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 35MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5A, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 15A |
| Email: | [email protected] |
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