NJL4281DG
- Modelo do Produto:
- NJL4281DG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 350V 15A TO264
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 11720 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- NJL4281DG.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 350V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 800mA, 8A |
| Tipo transistor: | NPN + Diode (Isolated) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-264 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 230W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-264-5 |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 35MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5A, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 15A |
| Email: | [email protected] |
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