NJL4281DG
- Artikelnummer:
- NJL4281DG
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 350V 15A TO264
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 11720 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NJL4281DG.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 350V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 800mA, 8A |
| Transistor-Typ: | NPN + Diode (Isolated) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-264 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 230W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-264-5 |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 35MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 5A, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 15A |
| Email: | [email protected] |
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