NJL4281DG
- Número de pieza:
- NJL4281DG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN 350V 15A TO264
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 11720 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- NJL4281DG.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 350V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 800mA, 8A |
| Tipo de transistor: | NPN + Diode (Isolated) |
| Paquete del dispositivo: | TO-264 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 230W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-264-5 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 35MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5A, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 15A |
| Email: | [email protected] |
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