CSD85312Q3E
- Modèle de produit:
- CSD85312Q3E
- Fabricant:
- TI
- La description:
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 52227 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- CSD85312Q3E.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Séries: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Puissance - Max: | 2.5W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | 296-37187-2 CSD85312Q3E-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 35 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.2nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Fonction FET: | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 39A |
| Email: | [email protected] |
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