CSD86360Q5D
Modèle de produit:
CSD86360Q5D
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
26713 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD86360Q5D.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-LSON (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Puissance - Max:13W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerLDFN
Autres noms:296-35026-2
CSD86360Q5D-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2060pF @ 12.5
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:12.6nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 50A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A
Numéro de pièce de base:CSD86360
Email:[email protected]

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