CSD86311W1723
Modèle de produit:
CSD86311W1723
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
11635 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD86311W1723.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Package composant fournisseur:12-DSBGA
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:39 mOhm @ 2A, 8V
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:12-UFBGA, DSBGA
Autres noms:296-27599-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:585pF @ 12.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.5A
Numéro de pièce de base:CSD86311
Email:[email protected]

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