SIDR668DP-T1-GE3
- Número de pieza:
- SIDR668DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 71747 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SIDR668DP-T1-GE3.pdf
Introducción
We can supply SIDR668DP-T1-GE3, use the request quote form to request SIDR668DP-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIDR668DP-T1-GE3.The price and lead time for SIDR668DP-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIDR668DP-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8DC |
| Serie: | TrenchFET® Gen IV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 |
| Otros nombres: | SIDR668DP-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5400pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 108nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | N-Channel 100V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SIDR668DP-T1-GE3
Latest Noticias
- Mouser envía conectores de fibra óptica para uso mil-aero
- Jacarem firma una franquicia para conectores EDAC
- Una vista desde la Cumbre RISC-V
- Los conectores de bajo perfil son lo suficientemente resistentes para la industria
- ¿Necesita una lupa de banco iluminada?
- La MCU DSP 100Mips para control de motores es la más pequeña de Microchip
- El conductor transparente no ITO compite para el mercado de pantallas plegables
- Electrónica: conectores profesionales impermeables para uso en exteriores
- Los interruptores de detección lateral son muy pequeños.
- Electrónica: Video Entrevista - Módulo de datos en su pantalla táctil PCAP easyTOUCH
- Electrónica: interruptor de recolección de energía Bluetooth 5
- Embalaje limpio para el convertidor RS232 a IO-Link para redes industriales