IXFH60N65X2-4
- Número de pieza:
- IXFH60N65X2-4
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH
- Cantidad disponible:
- 18006 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IXFH60N65X2-4.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247-4L |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 52 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 780W (Tc) |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-4 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 108nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción detallada: | N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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