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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4
Modèle de produit:
IXFH60N65X2-4
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
quantité disponible:
18006 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFH60N65X2-4.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247-4L
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):780W (Tc)
Package / Boîte:TO-247-4
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:108nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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