IXFH6N100Q
IXFH6N100Q
Número de pieza:
IXFH6N100Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16282 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IXFH6N100Q.pdf

Introducción

We can supply IXFH6N100Q, use the request quote form to request IXFH6N100Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFH6N100Q.The price and lead time for IXFH6N100Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFH6N100Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.9 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:478547
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios