FDMQ8203
- Número de pieza:
- FDMQ8203
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 44503 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- FDMQ8203.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 12-MLP (5x4.5) |
| Serie: | GreenBridge™ PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| Potencia - Max: | 2.5W |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 12-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | FDMQ8203CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 210pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V, 80V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A, 2.6A |
| Número de pieza base: | FDMQ8203 |
| Email: | [email protected] |
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