FDMQ8203
FDMQ8203
Part Number:
FDMQ8203
Producent:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Opis:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
44503 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
FDMQ8203.pdf

Wprowadzenie

We can supply FDMQ8203, use the request quote form to request FDMQ8203 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDMQ8203.The price and lead time for FDMQ8203 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDMQ8203.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:12-MLP (5x4.5)
Seria:GreenBridge™ PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs:110 mOhm @ 3A, 10V
Moc - Max:2.5W
Opakowania:Cut Tape (CT)
Package / Case:12-WDFN Exposed Pad
Inne nazwy:FDMQ8203CT
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:6 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:210pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:5nC @ 10V
Rodzaj FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):100V, 80V
szczegółowy opis:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:3.4A, 2.6A
Podstawowy numer części:FDMQ8203
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze