FDMQ8203
FDMQ8203
Modelo do Produto:
FDMQ8203
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
44503 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMQ8203.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:12-MLP (5x4.5)
Série:GreenBridge™ PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:2.5W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:12-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:FDMQ8203CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V, 80V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.4A, 2.6A
Número da peça base:FDMQ8203
Email:[email protected]

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