Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 30V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 550mV @ 300mA, 3A |
Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-223 (TO-261) |
Serie: | - |
Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
Leistung - max: | 720mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 110MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 125 @ 800mA, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
Email: | [email protected] |