Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 600mA, 6A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-223 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 800mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
Andere Namen: | NSV60601MZ4T3G-ND NSV60601MZ4T3GOSTR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 100MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 6A |
Basisteilenummer: | NSS60601 |
Email: | [email protected] |