Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 100mA, 2A |
Transistor-Typ: | 2 NPN (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | 6-WDFN (2x2) |
Serie: | - |
Leistung - max: | 2.27W |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | 6-WDFN Exposed Pad |
Andere Namen: | NSV60100DMTWTBGOSCT |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 155MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 155MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
Email: | [email protected] |