FDMD8680
- Artikelnummer:
- FDMD8680
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 79778 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FDMD8680.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-PQFN (5x6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 16A, 10V |
| Leistung - max: | 39W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerWDFN |
| Andere Namen: | FDMD8680-ND FDMD8680OSTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 39 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5330pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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