FDMD8630
- Artikelnummer:
- FDMD8630
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
- verfügbare Anzahl:
- 73512 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FDMD8630.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-Power 5x6 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1 mOhm @ 38A, 10V |
| Leistung - max: | 2.3W (Ta), 43W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerWDFN |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Bleifreier Status: | Lead free |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9930pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 142nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 38A (Ta), 167A (Tc) 2.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount 8-Power 5x6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 38A (Ta), 167A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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