CSD87334Q3D
- Artikelnummer:
- CSD87334Q3D
- Hersteller:
- TI
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 22247 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- CSD87334Q3D.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 12A, 8V |
| Leistung - max: | 6W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1260pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 20A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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