CSD87334Q3D
- Modello di prodotti:
- CSD87334Q3D
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 22247 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- CSD87334Q3D.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6 mOhm @ 12A, 8V |
| Potenza - Max: | 6W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1260pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 20A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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