SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
رقم القطعة:
SI3590DV-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
10364 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI3590DV-T1-GE3.pdf

المقدمة

We can supply SI3590DV-T1-GE3, use the request quote form to request SI3590DV-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI3590DV-T1-GE3.The price and lead time for SI3590DV-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI3590DV-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:6-TSOP
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:77 mOhm @ 3A, 4.5V
السلطة - ماكس:830mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:SI3590DV-T1-GE3CT
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:33 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4.5nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.5A, 1.7A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات