조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 6-TSOP |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
전력 - 최대: | 830mW |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
다른 이름들: | SI3590DV-T1-GE3CT |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4.5nC @ 4.5V |
FET 유형: | N and P-Channel |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 2.5A, 1.7A |
Email: | [email protected] |