SI3586DV-T1-E3
SI3586DV-T1-E3
رقم القطعة:
SI3586DV-T1-E3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
24989 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI3586DV-T1-E3.pdf

المقدمة

We can supply SI3586DV-T1-E3, use the request quote form to request SI3586DV-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI3586DV-T1-E3.The price and lead time for SI3586DV-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI3586DV-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:6-TSOP
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
السلطة - ماكس:830mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:SI3586DV-T1-E3TR
SI3586DVT1E3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:6nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.9A, 2.1A
رقم جزء القاعدة:SI3586
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات