Ekipler, bunun 1GHz'lik bir karşılaştırma hızında çalışabilen ilk oksit-yarı iletken tabanlı transistör olduğunu bildiriyor. Bu, akıllı telefonların ve HD TV'lerin şu anda mümkün olandan daha hızlı, daha parlak ve daha esnek olmasını sağlamak için LCD'lerde kullanılabileceğidir.

Opak, sert ve daha pahalı olan geleneksel silikon bazlı TFT'lerle karşılaştırıldığında, oksit TFT'ler orta ve hatta yüksek performanslı esnek elektronik devreleri mümkün kılabilir, dedi. Manchester.

“TV'ler zaten çok ince ve parlak yapılabilir. Çalışmamız, TV'yi mekanik olarak daha esnek ve daha ucuz hale getirmeye yardımcı olabilir. ”Diyen ekliyor,“ belki de daha da önemlisi, GHz transistörlerimiz gerçekten giyilebilir elektronikler gibi orta ve hatta yüksek performanslı esnek elektronik devreler sağlayabilir ”. Olası uygulama alanları akıllı evler, akıllı hastaneler ve akıllı şehirlerdir.

Profesör Song, oksit bazlı teknolojinin bazı cihazlarda amorf silikonun yerini aldı ve bu gelişme, teknolojinin ticarileştirilmesini çok daha yakınlaştırabileceğine inanıyor.

“Okside dayalı elektroniği ticarileştirmek için hala materyaller, litografi, cihaz tasarımı, test etme ve son olarak, en az değil, geniş alanlı üretim üzerinde yapılması gereken bir dizi araştırma ve geliştirme var. Silikon teknolojisinin bu kadar ileri gitmesi onlarca yıl aldı ve oksitler çok daha hızlı ilerliyorlar.

“GHz IGZO transistörümüz gibi yüksek performanslı bir cihaz yapmak zordur, çünkü sadece materyallerin optimize edilmesi gerekmekle kalmaz, aynı zamanda cihaz tasarımı, üretimi ve testleri ile ilgili bir dizi sorunun da araştırılması gerekir. 2015 yılında, 6.3 GHz'e ulaşan oksit yarı iletkenlerini kullanarak en hızlı esnek diyotları gösterebildik ve bugüne kadar hala dünya rekoru. Bu yüzden oksit-yarı iletken tabanlı teknolojilere güveniyoruz. ”