Teamen rapporterar att detta är den första oxid-halvledarbaserade transistorn som kan arbeta med en referenshastighet på 1 GHz. Förhoppningen är att detta skulle kunna användas på LCD-skärmar för att göra smartphones och HD-TV-apparater snabbare, ljusare och mer flexibla än för närvarande möjligt.

Jämfört med de konventionella kiselbaserade TFT: er, opaka, styva och dyrare, kan oxid-TFT möjliggöra flexibla elektroniska kretsar på medellång eller till och med hög prestanda, säger Aimin Song, professor i nanoelektronik vid School of Electrical and Electronic Engineering vid University of Manchester.

”TV-apparater kan redan göras extremt tunna och ljusa. Vårt arbete kan hjälpa till att göra TV mer mekaniskt flexibel och ännu billigare att producera, sade han och lägger till "men kanske ännu viktigare kan våra GHz-transistorer möjliggöra flexibla elektroniska kretsar på medellång eller till och med hög prestanda, som verkligen bärbar elektronik." Möjliga tillämpningsområden är smarta hem, smarta sjukhus och smarta städer, spekulerar han.

Oxidbaserad teknik har ersatt amorf kisel i vissa apparater, och denna utveckling kan förena kommersialiseringen av tekniken mycket närmare, tror professor Song.

Han tillade: ”För att kommersialisera oxidbaserad elektronik finns det fortfarande en rad forskning och utveckling som måste utföras på material, litografi, design av apparater, tester och sist men inte minst tillverkning av stora områden. Det tog många årtionden för kiselteknologi att komma så långt, och oxider fortskrider i mycket snabbare takt.

”Att göra en högpresterande enhet, som vår GHz IGZO-transistor, är utmanande eftersom material inte bara behöver optimeras, utan en rad frågor rörande enhetens design, tillverkning och test måste också undersökas. Under 2015 kunde vi visa de snabbaste flexibla dioderna med hjälp av oxidhalvledare och nådde 6,3 GHz, och det är fortfarande världsrekordet hittills. Så vi är övertygade om tekniker baserade på oxid-halvledare. "