Команды сообщают, что это первый транзистор на основе оксида-полупроводника, способный работать с эталонной скоростью 1 ГГц. Есть надежда, что это можно использовать в ЖК-дисплеях, чтобы сделать смартфоны и телевизоры высокой четкости быстрее, ярче и гибче, чем это возможно в настоящее время.

По сравнению с обычными TFT на основе кремния, которые являются непрозрачными, жесткими и более дорогими, оксидные TFT могут обеспечить гибкие электронные схемы средней или даже высокой производительности, сказал Аймин Сонг, профессор наноэлектроники в Школе электротехники и электроники в Университете Манчестер.

«Телевизоры уже можно сделать очень тонкими и яркими. Наша работа может помочь сделать телевизор более гибким в механическом отношении и даже более дешевым в производстве, - сказал он, добавив, - но, что еще важнее, наши транзисторы с тактовой частотой ГГц могут обеспечить гибкие электронные схемы средней или даже высокой производительности, такие как действительно носимая электроника ». Возможные области применения - умные дома, умные больницы и умные города, размышляет он.

Профессор Сонг считает, что технология на основе оксида заменила аморфный кремний в некоторых устройствах, и эта разработка может значительно приблизить коммерциализацию технологии.

Он добавил: «Для коммерциализации электроники на основе оксида все еще существует целый ряд исследований и разработок, которые должны быть выполнены в области материалов, литографии, проектирования устройств, испытаний и, наконец, что не менее важно, в области производства больших площадей. Кремниевой технологии потребовалось много десятилетий, чтобы продвинуться так далеко, и оксиды развиваются гораздо быстрее.

«Создание высокопроизводительного устройства, такого как наш транзистор IGZO ГГц, является сложной задачей, потому что не только необходимо оптимизировать материалы, но и исследовать целый ряд вопросов, касающихся конструкции устройства, его изготовления и испытаний. В 2015 году мы смогли продемонстрировать самые быстрые гибкие диоды с использованием оксидных полупроводников, достигнув 6,3 ГГц, и это по-прежнему мировой рекорд на сегодняшний день. Поэтому мы уверены в технологиях на основе оксидных полупроводников ».