Holdene rapporterer, at dette er den første oxid-halvlederbaserede transistor, der er i stand til at arbejde med en benchmarkshastighed på 1 GHz. Håbet er, at dette kunne bruges i LCD-skærme til at gøre smartphones og HD-tv'er hurtigere, lysere og mere fleksible end i øjeblikket muligt.

Sammenlignet med de konventionelle siliciumbaserede TFT'er, som er uigennemsigtige, stive og dyrere, kan oxid-TFT'er muliggøre fleksible elektroniske kredsløb til mellemlang eller endda høj ydeevne, sagde Aimin Song, professor i nanoelektronik ved School of Electrical and Electronic Engineering ved University of Manchester.

”Fjernsyn kan allerede laves ekstremt tynde og lyse. Vores arbejde kan hjælpe med at gøre tv mere mekanisk fleksibelt og endnu billigere at producere, ”sagde han og tilføjede,“ men måske endnu vigtigere er, at vores GHz-transistorer muliggør mellemstore eller endda højtydende fleksible elektroniske kredsløb, såsom virkelig bærbar elektronik. ” Mulige anvendelsesområder er smarte hjem, smarte hospitaler og smarte byer, spekulerer han.

Oxidbaseret teknologi har erstattet amorf silicium i nogle enheder allerede, og denne udvikling kunne bringe kommercialiseringen af ​​teknologien meget tættere, mener professor Song.

Han tilføjede: ”For at kommercialisere oxidbaseret elektronik er der stadig en række forskning og udvikling, der skal udføres inden for materialer, litografi, enhedskonstruktion, test og sidst men ikke mindst fremstilling i store områder. Det tog mange årtier for siliciumteknologi at komme så langt, og oxider skrider frem i meget hurtigere tempo.

”At fremstille en enhed med høj ydeevne, ligesom vores GHz IGZO-transistor, er udfordrende, fordi ikke kun materialer skal optimeres, men en række spørgsmål vedrørende enhedsdesign, fabrikation og test skal også undersøges. I 2015 kunne vi demonstrere de hurtigste fleksible dioder ved hjælp af oxid-halvledere og nåede 6,3 GHz, og det er stadig verdensrekord til dato. Så vi er tillid til oxiderende halvlederbaserede teknologier. ”