TPN4R712MD,L1Q
TPN4R712MD,L1Q
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TPN4R712MD,L1Q
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
20163 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
TPN4R712MD,L1Q.pdf

บทนำ

We can supply TPN4R712MD,L1Q, use the request quote form to request TPN4R712MD,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN4R712MD,L1Q.The price and lead time for TPN4R712MD,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN4R712MD,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.2V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±12V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
ชุด:U-MOSVI
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):42W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerVDFN
ชื่ออื่น:TPN4R712MD,L1Q(M
TPN4R712MDL1QTR
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4300pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:65nC @ 5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
คำอธิบายโดยละเอียด:P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:36A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest