TPN4R712MD,L1Q
- Modèle de produit:
- TPN4R712MD,L1Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 20163 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TPN4R712MD,L1Q.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Séries: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 42W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | TPN4R712MD,L1Q(M TPN4R712MDL1QTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4300pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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