TPH2R506PL,L1Q
TPH2R506PL,L1Q
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TPH2R506PL,L1Q
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
30788 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
TPH2R506PL,L1Q.pdf

บทนำ

We can supply TPH2R506PL,L1Q, use the request quote form to request TPH2R506PL,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPH2R506PL,L1Q.The price and lead time for TPH2R506PL,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPH2R506PL,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 500µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SOP Advance (5x5)
ชุด:U-MOSIX-H
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):132W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerVDFN
ชื่ออื่น:TPH2R506PL,L1Q(M
TPH2R506PLL1Q
TPH2R506PLL1QTR
อุณหภูมิในการทำงาน:175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:5435pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:60nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 60V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest