TPH2R506PL,L1Q
- Modelo do Produto:
- TPH2R506PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 30788 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- TPH2R506PL,L1Q.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Série: | U-MOSIX-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 132W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | TPH2R506PL,L1Q(M TPH2R506PLL1Q TPH2R506PLL1QTR |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5435pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 60V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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