TPH2R608NH,L1Q
TPH2R608NH,L1Q
Modelo do Produto:
TPH2R608NH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
52331 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TPH2R608NH,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):142W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPH2R608NHL1QCT
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 37.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):75V
Descrição detalhada:N-Channel 75V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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