SIS626DN-T1-GE3
SIS626DN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIS626DN-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212
Quantidade disponível:
40906 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIS626DN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):52W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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