조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 300µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220SIS |
연속: | U-MOSIX-H |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 36W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 Full Pack |
다른 이름들: | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
작동 온도: | 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1990pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 28.4nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
상세 설명: | N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |