TK8R2A06PL,S4X
TK8R2A06PL,S4X
제품 모델:
TK8R2A06PL,S4X
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
45823 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
TK8R2A06PL,S4X.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 300µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220SIS
연속:U-MOSIX-H
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
전력 소비 (최대):36W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-220-3 Full Pack
다른 이름들:TK8R2A06PL,S4X(S
TK8R2A06PLS4X
작동 온도:175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1990pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:28.4nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
상세 설명:N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):50A (Tc)
Email:[email protected]

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