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TK80S04K3L(T6L1,NQ
제품 모델:
TK80S04K3L(T6L1,NQ
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
47982 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
TK80S04K3L(T6L1,NQ.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):3V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DPAK+
연속:U-MOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.1 mOhm @ 40A, 10V
전력 소비 (최대):100W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들:TK80S04K3L(T6L1NQ
TK80S04K3LT6L1NQ
작동 온도:175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:4340pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:87nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:N-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):80A (Ta)
Email:[email protected]

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