TK8R2A06PL,S4X
- Modèle de produit:
- TK8R2A06PL,S4X
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 45823 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TK8R2A06PL,S4X.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 300µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220SIS |
| Séries: | U-MOSIX-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 36W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1990pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 28.4nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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