조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.2V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-PowerPair® |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V |
전력 - 최대: | 20W, 66W |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | 8-PowerWDFN |
다른 이름들: | SIZ980DT-T1-GE3CT |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 32 Weeks |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20A (Tc), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |