조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.4V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±16V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
연속: | LITTLE FOOT® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
다른 이름들: | SIA850DJ-T1-GE3-ND SIA850DJ-T1-GE3TR SIA850DJT1GE3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 90pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4.5nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | Schottky Diode (Isolated) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 1.8V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 190V |
상세 설명: | N-Channel 190V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 950mA (Tc) |
Email: | [email protected] |