HN3C10FUTE85LF
- 제품 모델:
- HN3C10FUTE85LF
- 기술:
- TRANSISTOR NPN US6
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 54070 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- HN3C10FUTE85LF.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 12V |
| 트랜지스터 유형: | 2 NPN (Dual) |
| 제조업체 장치 패키지: | US6 |
| 연속: | - |
| 전력 - 최대: | 200mW |
| 포장: | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 다른 이름들: | HN3C10FUTE85LFCT |
| 작동 온도: | - |
| 잡음 지수 (f에서 dB Typ): | 1.1dB @ 1GHz |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 이득: | 11.5dB |
| 주파수 - 전환: | 7GHz |
| 상세 설명: | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 80 @ 20mA, 10V |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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