TPN2010FNH,L1Q
TPN2010FNH,L1Q
部品型番:
TPN2010FNH,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
51157 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TPN2010FNH,L1Q.pdf

簡潔な

We can supply TPN2010FNH,L1Q, use the request quote form to request TPN2010FNH,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN2010FNH,L1Q.The price and lead time for TPN2010FNH,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN2010FNH,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):198 mOhm @ 2.8A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 39W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN2010FNHL1QCT
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:600pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:7nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:250V
詳細な説明:N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):5.6A (Ta)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考