TPN2010FNH,L1Q
- Artikelnummer:
- TPN2010FNH,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 51157 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- TPN2010FNH,L1Q.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | TPN2010FNHL1QCT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 250V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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