HN1B01FU-Y(L,F,T)
HN1B01FU-Y(L,F,T)
部品型番:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
27358 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf

簡潔な

We can supply HN1B01FU-Y(L,F,T), use the request quote form to request HN1B01FU-Y(L,F,T) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HN1B01FU-Y(L,F,T).The price and lead time for HN1B01FU-Y(L,F,T) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HN1B01FU-Y(L,F,T).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式:NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:US6
シリーズ:-
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:HN1B01FU-Y(LFT)CT
運転温度:125°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:120MHz
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):120 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):150mA
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考