SIZ300DT-T1-GE3
SIZ300DT-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIZ300DT-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
51859 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SIZ300DT-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-PowerPair®
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 9.8A, 10V
Potenza - Max:16.7W, 31W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:SIZ300DT-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 28A 16.7W, 31W Surface Mount 8-PowerPair®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A, 28A
Numero di parte base:SIZ300
Email:[email protected]

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