IPS110N12N3GBKMA1
- Modello di prodotti:
- IPS110N12N3GBKMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 38027 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IPS110N12N3GBKMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 136W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi: | IPS110N12N3 G IPS110N12N3 G-ND IPS110N12N3GBKMA1TR-ND SP000674456 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4310pF @ 60V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 120V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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