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EPC2035
EPC2035
Modello di prodotti:
EPC2035
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16772 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.EPC2035.pdf2.EPC2035.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 800µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:45 mOhm @ 1A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1099-6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:115pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2035

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI Inchiesta
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Inchiesta
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