Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2039ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15213 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2039ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply EPC2039ENGRT, use the request quote form to request EPC2039ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2039ENGRT.The price and lead time for EPC2039ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2039ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 2mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:22 mOhm @ 6A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2039ENGRTR
EPC2039ENGR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per EPC2039ENGRT

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Inchiesta
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI Inchiesta
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Inchiesta
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Inchiesta
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Inchiesta
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE Inchiesta

Latest Notizie